尊龙凯时人生就博sn蓄电池放电仪直流屏多少钱一台

　　尊龙凯时人生就博sn蓄电池放电仪直流屏多少钱一台2024年2月25日-29日，邦际电力电▽子利用博览会（APEC）正在美邦洛杉矶举办，由IEEE-资 产利用学会(IAS )、电力电 子学会(P ELS)，美邦电源创设商协会(PSMA) 联络主办，环球著名电力电○子企业将集聚于此，尊龙凯时显示电力电子产物和编制界限的最新本事开展和研发成效直流屏众少钱一台。

　　英诺赛科是一家环球领先的 8英 寸 GaN IDM企业，旨正在打制基○于高功能硅基氮化镓的低碳、节能的能源生态编制。正在邦际电○力电子利 用博览 会（APEC）上，英诺赛■科携○全系列新产物和进步利用计划，以“Fill th e W orld with GaN”为要旨，显示了氮化镓正在众场景△中的○魅力。

　　此中，针对低压氮化镓，英诺△赛科推出了 几款全★新 利 用，充电头网带你明了一下。

　　针 对 BMS 利用界 限，英诺■赛科▽ 拓荒了16S/120A BMS 评估板，搭配100V 双指 引通VGaN （INV100FQ030A）完成充放电限度 与爱护。与Si 计划比拟，其PCB占板面积及本 钱 消重40% 以上。得益于VG…aN的=器件功能，该计划不单做到了体积小（65mm*180mm），编制本钱低的上风，还完成了最佳散热功能。

　　此中，INV100FQ□ 030A是 ○ 一款100V 双指○引通器件，可正在电池拘束编制、双向变换器的高侧▽负荷开闭、电源编制中的开闭电 道等界限完成高效利用。

　　英诺赛科产物部Shaw▽n展现：“一颗 VGaN 可能代替两颗 共○漏相接的背靠背Si M○OSFETsn蓄电池放电仪…<▽/strong□>，完成电池充电和放▽电▽双向开闭，进一步减小导通电阻，消重损耗。VGaN□ 器件采 用… 单 Ga○te… 安排，通过限度 Gate到 Drain1/Drain2 的逻辑，完成充电爱护可放电、放电爱护可充电；同时大幅删除器件数目，缩小占板面积，消重完全编制本钱。”！

　　INV100F…Q030A采○用★★兼容引脚安排< stron◁ g>sn□蓄 电池放电仪，采用 =FCQ FN □ 4x○6m m 封装，客户★可能依据分别的利□用 ◁需求实行规格选型。

　　为便于客户验证和导入，英诺赛科同步供给 BMS 编制治理计★划，安排计划涵盖低边同口、高边同口、高边分口等。IN◁V 100FQ030A ○正在电池 拘束编制 (BMS ) 中展现出彰 着上风，具备强大的墟市潜力。

　　为了满意数…据▽中★央高功率密度 ▽的需求，1kW 48V-12V计划正在原边（100V器件）和副边（40V器件）都采用了GaN直 流屏众少钱一台，同时为 了最大限制地普及功率 密度并简化电道，100V 器件选用了英诺赛科最新的集成SolidG=aN（I◁SG3201），配合○业内领先的磁★集成矩阵变压器安排，将开◁闭频率晋升 至1MHz，完全计划体积仅39mmx26mmx7。5mm， 峰值功用达98。5%。

　　SolidGaN I○SG3201 是一颗耐压★ 100V… 的 半桥■氮化 镓合○封芯■片，其内部 集成了2颗 100V/3。2mΩ 的加强型 ▽GaN 和1颗 100V 半桥驱动，通过内部集成驱动器，优化驱动回道和功率回道，明显○消重 寄○△■生 电感和△ 开闭尖峰， 进一步普及1000W 48V 电源模块编制的完全功能和牢靠性。产物面积（5mmx6。5mm）… 仅略大于▽单颗准 绳 5x6 Si 器件，相看待Si计划的PCB占板面积减小了73%。GaN 的软开闭F OM 仅为 S▽i 的45%，这就意 味着 正在高频软开闭利用 中，100V GaN 的功能愈加卓着。

　　同时，该芯片还具有独立的高 侧和低侧PWM信 号…输入，尊龙凯时并援助TTL电平驱动，可由专用限 度器或通用M CU实★行驱◁动限度，是数据中央模块电源，电机驱动★以及D类功率放大器等…48V电源编制的最佳选拔。

　　INN040FQ015A 是一颗耐压 40V 导阻 1。5mΩ 的加强★型氮化镓晶体管，采用FCLGA 5*4 封▽装，体积小sn蓄电池放电仪<△/st△rong>。